BSH111BKR 与 SN7002N H6433 区别
| 型号 | BSH111BKR | SN7002N H6433 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A3n-BSH111BKR | A-SN7002N H6433 | ||||
| 制造商 | Nexperia | Infineon Technologies | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 小信号MOSFET | 小信号MOSFET | ||||
| 描述 | Single N-Channel 55 V 364 mW 0.5 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOT-23 | |||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| 功率耗散Pd | 0.302W | 0.36W | ||||
| 宽度 | - | 1.3mm | ||||
| 上升时间 | - | 3.2ns | ||||
| 漏源极电压Vds | 55V | 60V | ||||
| 产品特性 | - | 车规 | ||||
| Qg-栅极电荷 | - | 1nC | ||||
| 输出电容 | 2.7pF | - | ||||
| 栅极电压Vgs | ±10V | 10V | ||||
| 正向跨导 - 最小值 | - | 90mS | ||||
| 典型关闭延迟时间 | - | 5.3ns | ||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||
| 封装/外壳 | SOT23 | PG-SOT23-3 | ||||
| 工作温度 | 150°C | -55°C~150°C | ||||
| 连续漏极电流Id | 0.21A | 200mA | ||||
| 通道数量 | - | 1Channel | ||||
| 配置 | - | Single | ||||
| 系列 | - | XN7002 | ||||
| 输入电容 | 19.1pF | - | ||||
| 长度 | - | 2.9mm | ||||
| 下降时间 | - | 3.6ns | ||||
| 典型接通延迟时间 | - | 2.4ns | ||||
| 导通电阻Rds(On) | 4Ω@200mA,4.5V | 5Ω | ||||
| 高度 | - | 1.10mm | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 300,000 | 0 | ||||
| 工厂交货期 | 7 - 14天 | 56 - 70天 | ||||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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BSH111BKR | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT23 N-Channel 4Ω@200mA,4.5V 0.302W 150°C ±10V 55V 0.21A |
￥0.2485
|
300,000 | 当前型号 | ||||||||||||
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ZVN3306FTA | Diodes Incorporated | 数据手册 | MOSFET |
SOT-23 |
暂无价格 | 9,000 | 对比 | ||||||||||||
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ZVN3306FTA | Diodes Incorporated | 数据手册 | MOSFET |
SOT-23 |
￥2.256
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6,008 | 对比 | ||||||||||||
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BS870Q-7-F | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
N-Channel 300mW ±20V SOT-23-3 -55°C~150°C(TJ) 60V 250mA(Ta) 车规 |
￥0.4186
|
2,346 | 对比 | ||||||||||||
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ZVN3306FTA | Diodes Incorporated | 数据手册 | MOSFET |
SOT-23 |
￥1.4936
|
74 | 对比 | ||||||||||||
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SN7002N H6433 | Infineon | 数据手册 | 小信号MOSFET |
60V 200mA 5Ω 10V 0.36W N-Channel -55°C~150°C 车规 PG-SOT23-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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